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王阳�?/span>�Q�微�?sh��)子学家�?span lang="EN-US">1935�q?span lang="EN-US">1�?span lang="EN-US">1日生于浙江宁波�?span lang="EN-US">1958�q�北京大学物理系毕业。北京大学微�?sh��)子学研�I�所教授、所长，同济大学���N��教授�?span lang="EN-US">1995�q�当选�ؓ中国�U�学院院士�?/span>
��L��研究成功我国�W�一�?span lang="EN-US">3�U�类�?span lang="EN-US">1024�?span lang="EN-US">MOS动态随机存储器�Q�是我国���栅N钩道MOS集成�?sh��)�\技术开拓者之一。提��Z��多晶���薄膜“应力增强”氧化模型、工�E�应用方�E�和掺杂���度与迁�Uȝ��的关�p�，对实跉|��重要的指导意义。研�I�了亚微�c�电(sh��)路的���化�?span lang="EN-US">/多晶���复合栅�l�构的应力分布。发现磷掺杂对固相外廉���率的增强效应以�?span lang="EN-US">CoSi2栅对器�g抗辐照特性的改进作用。提��Z��SOI器�g���体效应模型和改�q�措施。发展了新型SOI器�g�l�构�Q�与合作者一��h����Z�����高速多晶硅发射极晶体管的新的解析模型和先进双极工艺技术。近期又研究�?span lang="EN-US">0.1Чm器�g和集成电(sh��)路技术以及微机电(sh��)�pȝ��(MEMS)�?/span>
